特許
J-GLOBAL ID：200903069239862549
半導体レ-ザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014746
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216493
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 高温動作、高光出力動作に適した半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 n-InP基板101上には、バッファ層メサストライプ102が選択成長により形成され、このバッファ層メサストライプ102上には選択MOVPE法によって活性層メサストライプ103が形成されている。これにより、半導体基板の表面より高い位置に活性層メサストライプ103が配置され、活性層メサストライプ103に対する電流ブロック層104のせり上がりを低くできる結果、活性層メサストライプ103の直上のクラッド層105の抵抗を低減することができる。
請求項（抜粋）：
活性層メサストライプが選択MOVPE法によって半導体基板上に形成され、前記活性層メサストライプの両側に電流ブロック層が形成された半導体レーザにおいて、前記活性層メサストライプが前記半導体基板上に形成されたバッファ層メサストライプ上に、または前記半導体基板の表面に形成されたメサストライプ上に設けられていることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (8件)：
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA09
, 5F073CA12
, 5F073EA24
, 5F073EA29
