特許

J-GLOBAL ID：200903069255478350

電力用半導体装置

発明者： 山 口 正 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069095
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274516
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 高速で特性が安定した小型で高性能の電力用半導体装置を簡易な製造工程により実現する。【解決手段】 第1導電型(n)により形成された高抵抗のベース層21と、ベース層21の表面に第2導電型(p)により形成されたエミッタ層23と、エミッタ層23の表面から途中の深さまで選択的に形成された溝24内とこのエミッタ層の表面側を覆うように形成された主電極26と、を備える。

請求項（抜粋）：

高抵抗の第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の表面に形成され、かつ、その表面から途中の深さまでの溝が形成された第2導電型のエミッタ層と、前記溝内を含む前記第2導電型エミッタ層上に形成された主電極と、を備えることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 657 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067671   出願人：富士電機株式会社