特許
J-GLOBAL ID：200903069272785266
エレクトロルミネッセンス表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214800
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 高速の書き込みと保持特性が良い第1のTFTと、電流制御性が良い第2のTFTとを備えているので、良好な階調表示が可能なEL表示装置を提供する。【解決手段】 スイッチング用の第1のTFT30と、有機EL素子駆動用の第2のTFTと、陽極61、陰極66及び該両電極の間に挟まれた発光素子層65から成る有機EL素子60とを備えた有機EL表示装置であって、第1のTFT30はn型チャネルを有しLDD構造を備えており、第2のTFTはp型チャネルを有している構造であるので、オン電流を高くリーク電流を小さくすることができるとともに、良好な階調表示を得ることができる。
請求項（抜粋）：
陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層のソースが補助容量に、前記能動層のドレインがドレイン信号線に、前記能動層のチャネル上方に設けたゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースにそれぞれ接続された第2の薄膜トランジスタとを備えており、前記第1の薄膜トランジスタはn型チャネルを有するとともに、LDD構造、マルチゲート構造またはオフセット構造のうちいずれか1つの構造を備えており、前記第2の薄膜トランジスタはp型チャネルを備えていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (3件)：
G09F 9/30 365
, H05B 33/14
, H05B 33/26
G09F 9/30 365 B
, H05B 33/14 A
, H05B 33/26 Z
3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA02
, 5C094AA02
, 5C094AA25
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094CA25
, 5C094GA10
