特許

J-GLOBAL ID：200903069286429187

厚膜コンデンサ基板

発明者： 井本 晃
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155961
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】設計された容量に近い容量を得ることができるとともに、容量バラツキを小さくすることができる厚膜コンデンサ基板を提供する。【解決手段】複数の厚膜コンデンサ37を基板31に設けてなる厚膜コンデンサ基板において、厚膜コンデンサ37が、基板31表面に設けられた共通電極膜39と、該共通電極膜39の中央部に設けられた誘電体膜41と、該誘電体膜41の中央部に設けられた複数の上側電極膜43と、該上側電極膜43にそれぞれ接続され、基板端面に向けて引き出された引出導体膜45とを具備するとともに、上側電極膜43の面積をS1 、共通電極膜39と引出導体膜45が重畳する部分の面積をS2 とした時、S2 ≦0.05S1 を満足する。

請求項（抜粋）：

複数の厚膜コンデンサを基板に設けてなる厚膜コンデンサ基板において、前記複数の厚膜コンデンサが、前記基板表面に設けられた共通電極膜と、該共通電極膜の中央部に設けられた誘電体膜と、該誘電体膜の中央部に設けられた複数の上側電極膜と、該上側電極膜にそれぞれ接続され、前記基板端面に向けて引き出された引出導体膜とを具備するとともに、前記上側電極膜の面積をS1 、前記共通電極膜と前記引出導体膜が重畳する部分の面積をS2 とした時、S2 ≦0.05S1 を満足することを特徴とする厚膜コンデンサ基板。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H05K 1/16

FI (2件)：

H05K 1/16 D ,  H01G 4/06 101

Fターム (23件)：

4E351AA00 ,  4E351BB01 ,  4E351BB03 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB31 ,  4E351CC11 ,  4E351DD41 ,  4E351GG06 ,  5E082BB01 ,  5E082BC38 ,  5E082CC03 ,  5E082DD02 ,  5E082EE04 ,  5E082EE11 ,  5E082EE35 ,  5E082FG04 ,  5E082FG54 ,  5E082KK07 ,  5E082KK08 ,  5E082MM24 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• コンデンサアレイ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050383   出願人：三菱マテリアル株式会社