特許
J-GLOBAL ID：200903069290530860
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176838
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 新規なヘテロ接合構造を有し、とくにHBTとして有用な半導体装置を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、n型またはp型半導体層の上面と下面に、前記半導体層と逆導電型の半導体層が接合しているヘテロ接合構造Aを有する半導体装置において、ヘテロ接合構造Aのn型半導体層3はGaN系化合物半導体から成り、p型半導体層2,4はダイヤモンド結晶から成る。
請求項（抜粋）：
n型またはp型の半導体層の上面と下面に、前記半導体層と逆導電型の半導体層が接合しているヘテロ接合構造を有する半導体装置において、前記ヘテロ接合構造のn型半導体層はGaN系化合物半導体から成り、p型半導体層はダイヤモンド結晶から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
