特許
J-GLOBAL ID：200903069299782250
薄膜磁気ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363493
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187817
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 定常検出電流による発熱を効率良く逃がすことができ、MR素子層の温度上昇による熱拡散、焼損、出力低下、交換異方性磁界の劣化を抑制し、線形応答性に優れ、バルクハウゼンノイズを抑制した薄膜磁気ヘッドの提供。【解決手段】 下部シールド層53上に下部ギャップ層54を介して形成された磁気抵抗効果素子層45と、磁気抵抗効果素子層45に検出電流を与える電極層48と、電極層48の上に上部ギャップ層56を介して形成された上部シールド層57を少なくとも備えてなり、下部ギャップ層54と上部ギャップ層56の少なくとも一方が、Alと、Nと、Xと、Oを少なくとも含む高熱伝導性の絶縁層を有し、上記XはSi,B,Ge,Cのうちから選択される1種または2種以上の元素であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
請求項（抜粋）：
下部シールド層上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果素子層と、該磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える電極層と、該電極層の上に上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層を少なくとも備えてなり、前記下部ギャップ層と上部ギャップ層の少なくとも一方が、Alと、Nと、Xと、Oを少なくとも含む高熱伝導性の絶縁層を有し、前記XはSi,B,Ge,Cのうちから選択される1種または2種以上の元素であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Fターム (7件)：
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034BB01
, 5D034BB09
, 5D034CA02
, 5D034CA04
