微小構造欠陥の検出

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002030
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208579
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】とくに貫通孔を含む微小構造の欠陥の検出を行う方法および装置。【解決方法】コンタクト孔やバイアホールのある領域を負極性に帯電させるようにウェーハ220に帯電粒子ビームを導く過程と、帯電粒子ビームによる走査を検出出力信号を発生するように二次粒子を検出しながら行う過程と、検出出力信号から貫通孔の見かけ上の寸法を判定する過程と、欠陥を検出するように貫通孔の見かけ上の寸法を基準情報と比較する過程とを含む。基準情報は慣用の電圧コントラスト画像で構成でき、又コンタクト孔の所期の物理的大きさ及びコンタクト孔の内部又は下の材料の電気的接続性を指示する設計データでも構成できる。ウェーハの帯電は、フラッドガン208からの電子フラッドをウェーハの表面に向けながら二次電子をウェーハに戻すようにエネルギーフィルタ206の電圧設定を行ったりすることにより行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを検査する方法であって(a)基板貫通孔のある前記ウェーハの領域を負極性に帯電させるように前記ウェーハに帯電粒子ビームを導く過程と、(b)前記領域の帯電粒子ビームによる走査を二次粒子を検出しながら検出出力信号を発生するように行う過程と、(c)前記検出出力信号から前記少なくとも一つの貫通孔の見かけ上の寸法を算定する過程と、(d)欠陥を検出するように前記少なくとも一つの貫通孔の見かけ上の寸法を基準情報と比較する過程とを含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G01R 1/06 , G01R 31/302 , H01J 37/22 502 , H01J 37/28

FI (5件)：

H01L 21/66 P , G01R 1/06 F , H01J 37/22 502 H , H01J 37/28 B , G01R 31/28 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052379 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-280071
特開平2-247572

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