出力回路を備えた半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：落合憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023376
公開番号（公開出願番号）：特開2006-211514
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】出力段に電源電圧Vddよりも低い出力段動作電圧Vdd1を供給する出力回路を有する半導体集積回路において、電源電圧Vddが低くなった場合でも十分な出力信号振幅を得ながら、回路規模の増大を抑え、かつ、消費電力を削減する。【解決手段】出力段には、第1の閾値電圧を有するNMOSトランジスタからなる出力段動作電圧供給源からVddよりも低い動作電圧Vdd1を供給し、駆動回路には、第1の閾値電圧よりも低い第2の閾値電圧を有するNMOSトランジスタからなる駆動回路動作電圧供給源から、出力段動作電圧Vdd1よりも高い駆動回路動作電圧Vdd2を供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電源電圧が供給されて動作し、出力回路を有する半導体集積回路であって、該出力回路が、入力端子と出力端子と、ドレインに前記電源電圧よりも低い出力段動作電圧が供給され、ゲートに駆動信号が入力され、ソースが前記出力端子に接続された、第1のNチャネルMOSトランジスタと、ドレインが前記出力端子に接続され、ゲートに、前記駆動信号と逆位相の反転駆動信号が入力され、ソースがグランドに接続された第2のNチャネルMOSトランジスタとからなり、前記出力端子から出力信号を出力する出力段と、ドレインに前記電源電圧が供給され、ゲートに基準電圧が供給された、正の第1の閾値電圧を有する第3のNチャネルMOSトランジスタからなり、該第3のNMOSトランジスタのソースから前記出力段動作電圧を供給する出力段動作電圧供給源と、前記入力端子に入力される入力信号から、前記駆動信号および前記反転駆動信号を生成する駆動回路とドレインに前記電源電圧が供給され、ゲートに前記基準電圧が供給された、前記第1の閾値電圧よりも低い第2の閾値電圧を有する第4のNチャネルMOSトランジスタからなり、該第4のNチャネルMOSトランジスタのソースから、前記電源電圧に比較して低く、かつ、前記出力段動作電圧に比較して高い駆動回路動作電圧を供給する駆動回路動作電圧供給源とからなり、前記駆動回路が、前記駆動回路動作電圧が供給されて前記駆動信号を出力する、CMOSゲートを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H03K 19/017 , H03K 3/03 , H03K 3/354 , H03K 19/00 , H03K 19/094 , H03K 19/018 , H03K 17/687

FI (7件)：

H03K19/00 101F , H03K3/03 , H03K3/354 C , H03K19/00 A , H03K19/094 B , H03K19/00 101B , H03K17/687 F

Fターム (45件)：

5J043AA02 , 5J043AA03 , 5J043LL01 , 5J055AX12 , 5J055AX44 , 5J055BX16 , 5J055CX27 , 5J055DX22 , 5J055DX56 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EX02 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY15 , 5J055EY21 , 5J055EZ09 , 5J055EZ20 , 5J055EZ22 , 5J055EZ25 , 5J055EZ51 , 5J055FX05 , 5J055FX18 , 5J055FX20 , 5J055FX37 , 5J055GX01 , 5J056AA04 , 5J056AA11 , 5J056BB17 , 5J056BB51 , 5J056CC00 , 5J056CC04 , 5J056CC10 , 5J056CC16 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056DD51 , 5J056DD55 , 5J056EE06 , 5J056EE08 , 5J056FF06 , 5J056FF07 , 5J056FF08 , 5J056GG09

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-162824号公報
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066647 出願人：株式会社日立製作所

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