特許

J-GLOBAL ID：200903069334368314

薄膜形成装置の洗浄方法

発明者： 木村 法史
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107243
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】 排気系に付着する反応生成物を除去して、薄膜形成装置のメンテナンスサイクルを長くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 熱処理装置1は、減圧雰囲気下でTEOSを供給して半導体ウエハ10にシリコン酸化膜を形成する反応室2と、反応室2に接続された排気管15とを備えている。そして、熱処理装置1を用いた半導体ウエハ10へのシリコン酸化膜の形成工程中に、排気管15内にフッ化水素ガスを導入して排気管15を洗浄すると、シリコン酸化膜の形成と排気管15等に付着する反応生成物の除去とが並行して実行され、熱処理装置1のメンテナンスサイクルが長くなる。

請求項（抜粋）：

減圧雰囲気下で反応ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する反応室と、該反応室に接続された排気管とを備える薄膜形成装置の洗浄方法であって、前記被処理体への薄膜形成工程中に、前記排気管内にクリーニングガスを導入して前記排気管内を洗浄することを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  B01J 3/00 ,  B08B 5/00 ,  C23G 5/028 ,  B01J 19/00

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  B01J 3/00 N ,  B08B 5/00 Z ,  C23G 5/028 ,  B01J 19/00 H

Fターム (33件)：

3B116AA13 ,  3B116AA47 ,  3B116AB51 ,  3B116BB03 ,  3B116BB82 ,  3B116CD11 ,  4G075AA24 ,  4G075AA57 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BB03 ,  4G075BD14 ,  4G075BD26 ,  4G075CA02 ,  4G075CA57 ,  4G075EB01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA11 ,  4K030JA10 ,  4K053PA18 ,  4K053QA01 ,  4K053QA07 ,  4K053RA02 ,  4K053RA36 ,  4K053SA01 ,  4K053SA19 ,  4K053XA11 ,  4K053YA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-115898   出願人：三菱電機株式会社
• フッ化アンモニウムの付着した基体のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-352661   出願人：セントラル硝子株式会社