特許
J-GLOBAL ID：200903069401012872

半導体装置及びその製造方法

発明者：
長谷川 英一

長谷川 英一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208606
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板に形成されたトレンチ(溝)内面に熱酸化膜を形成したときに熱応力を緩和し、トレンチの角部から結晶欠陥が発生するのを防止する。【解決手段】 開示される発明は、半導体基板11上に耐エッチング性膜24を形成する工程と、耐エッチング性膜24をマスクとして半導体基板11をエッチングし、半導体基板11に溝12を形成する工程と、溝12の開口端の角部12a及びその周辺部の半導体基板11にイオン注入により注入角度をつけて溝12の開口部を通して不純物を導入する工程と、溝12内面の半導体基板11を熱酸化して絶縁膜13を形成する工程とを有してなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に耐エッチング性膜を形成する工程と、前記耐エッチング性膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝の開口端の角部及びその周辺部の半導体基板にイオン注入により注入角度をつけて前記溝の開口部を通して不純物を導入する工程と、前記溝内面の半導体基板を熱酸化して絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (15件)：
5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA75 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA03 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA77
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開昭61-289643
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248494   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 特開平1-123452
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