特許
J-GLOBAL ID：200903069408736477
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147410
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ゲート端子の高密度化に対応可能な薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。【構成】 基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、半導体能動膜14、及びソース電極16並びにドレイン電極17が前記基板上に順次形成された逆スタガ構造の薄膜トランジスタと、走査信号を前記ゲート電極に送るためのゲート端子18及びゲート配線21と、データ信号を前記ソース電極に送るためのソース端子19及びソース配線22と、が形成された薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート端子は、前記ゲート絶縁膜の上側に形成され、前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲート配線と電気的に接続されていることを特徴とする。また、前記薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記ゲート端子を構成する導電体は、前記ゲート絶縁膜成膜後に形成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体能動膜、及びソース電極並びにドレイン電極が前記基板上に順次形成された逆スタガ構造の薄膜トランジスタと、走査信号を前記ゲート電極に送るためのゲート端子及びゲート配線と、データ信号を前記ソース電極に送るためのソース端子及びソース配線と、が形成された薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート端子は、前記ゲート絶縁膜の上側に形成され、前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲート配線と電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
