特許

J-GLOBAL ID：200903069421119100

InSb薄膜基板

発明者： 大浦 秀男 ,  山口 正巳 ,  奥山 忍
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308410
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 磁電変換素子に応用できる高感度で信頼性の高いInSb薄膜基板を得る。【解決手段】 基板1A,1B上に、第1層にSb膜3を形成し、その上に化学量論組成のInSb化合物半導体結晶膜5を成膜形成したことを特徴とするInSb薄膜基板10。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1層にSb膜を形成し、その上に化学量論組成のInSb化合物半導体結晶膜を成膜形成したことを特徴とするInSb薄膜基板。

IPC (4件)：

H01L 43/06 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08

FI (4件)：

H01L 43/06 S ,  H01L 21/203 Z ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/08 N

Fターム (28件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA14 ,  4K029BA21 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB08 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA01 ,  4K029CA06 ,  4K029DB03 ,  4K029DB04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB10 ,  4K029DB18 ,  4K029DC39 ,  5F103AA01 ,  5F103BB02 ,  5F103DD12 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気センサ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-317918   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-241069
  
• 特開平2-241069