特許
J-GLOBAL ID:200903069451158126
導電体層除去システム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-036014
公開番号(公開出願番号):特開平11-285867
出願日: 1994年06月29日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】【目的】 下の層を傷付けることなく、この下の層の上に配置される上部の導電体層を除去することができる導電体層除去システムを提供する。【解決手段】 絶縁体層の下に形成された導電体層を有するデバイスを設置するための試料設置台と、パルスレーザ光を出射可能なレーザと、レーザから出射されたパルスレーザ光を試料設置台に導く光学系と、パルスレーザ光の駆動電源をオン・オフさせてパルスレーザ光のパルス数を制御するスイッチとを備えることを特徴とする。
請求項(抜粋):
絶縁体層の下に形成された導電体層を有するデバイスを設置するための試料設置台と、パルスレーザ光を出射可能なレーザと、前記レーザから出射されたパルスレーザ光を前記試料設置台に導く光学系と、前記パルスレーザ光の駆動電源をオン・オフさせて前記パルスレーザ光のパルス数を制御するスイッチとを備えることを特徴とする導電体層除去システム。
IPC (2件):
FI (4件):
B23K 26/00 C
, B23K 26/00 H
, B23K 26/00 M
, B23K 26/02 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
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レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041360
出願人:ホーヤ株式会社
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特開平2-165883
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