半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077787
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】不揮発性メモリセルの低電圧領域における誤読出し等を防止し、ベリファイ動作における読み出しマージンを確保する。【構成】電圧検知信号VDT0は、電源電圧VDDが設定値4Vを越えると第1電圧検知信号“H”となり、電源電圧VDDが設定値4V以下のときには第2電圧検知信号“L”となる。センスアンプ内で、電圧検知信号VDT0が“H”になると、トランジスタQp11がオンとなり、トランジスタQn4の駆動力が増大し、出力信号OUTの電圧の変化幅が大きくなって、センスレベル電流が増大する。電源電圧に応じたセンスレベル電流やデータ線電圧の切り換えによって、低電圧下におけるデータの誤読出し等を防止することができる。ベリファイ動作においても、通常読み出しの際とはセンスレベル電流あるいはデータ線電圧を切り換えることにより、十分なマージンを持った判定を行うことができる。

請求項（抜粋）：

メモリセルと、上記メモリセルに接続されるデータ線と、電源電圧を供給する電圧供給手段と、上記電圧供給手段に接続され、少なくとも1つの設定値により区画される少なくとも2つの電源電圧領域を検知して各電源電圧領域に対応した複数の電圧検知信号を出力する電源電圧検知手段と、上記メモリセルのデータを読み出す指令を与える第1の制御信号を入力する制御信号入力手段と、上記制御信号入力手段,上記電圧供給手段及び上記データ線に接続され、上記第1の制御信号を受けたときに上記電圧供給手段から上記データ線に流れる電流を上記電源電圧に応じたセンスレベルで検知するとともに、上記センスレベル電流の電源電圧に対する依存特性として互いに異なる複数の依存特性を有する電流検知手段と、上記電源電圧検知手段及び上記電流検知手段に接続され、上記電流検知手段におけるセンスレベル電流の電源電圧に対する依存特性を、上記電源電圧検知手段の電圧検知信号の種類に応じて上記複数の依存特性のうち互いに相異なるいずれか2つの依存特性に切り換える依存特性切換手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 520 B , G11C 17/00 309 F

引用特許：

審査官引用 (11件)

センスアンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-235780 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091067 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036721 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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