半導体素子の配線構造の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085519
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】ダマシン方式を用いて作られた金属配線間にエアギャップを備えた半導体素子の配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】下地層を含む半導体基板30上に犠牲層を形成する段階;犠牲層を所定部分パターニングする段階;犠牲層間の空間に導電層を埋め込み、配線36a,36bを形成する段階;犠牲層を選択的に除去する段階;及び配線36a,36b間の空間にエアギャップ39が形成されるように層間絶縁膜38を形成する段階を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下地層を含む半導体基板上に犠牲層を形成する段階;前記犠牲層の所定部分をパターニングする段階;前記犠牲層間の空間に導電層を埋め込み、配線を形成する段階;前記犠牲層を選択的に除去する段階;及び、前記配線間の空間にエアギャップが形成されるように層間絶縁膜を形成する段階を含むことを特徴とする半導体素子の配線構造の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-043312 出願人：日本電気株式会社
特開平1-296644
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118659 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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