特許
J-GLOBAL ID：200903069470148204
半導体デバイス電極/配線及び半導体デバイス電極用膜/配線用膜並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050355
公開番号（公開出願番号）：特開2003-253437
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング処理して半導体デバイスの電極(薄膜状の電極および配線)を形成するのに最適な、Al合金薄膜を有する半導体デバイス電極用膜/配線用膜を提供する。【解決手段】 Alをベースとし、合金成分がY:0.05at%以上0.3at%未満、IVa族元素:合計で0.2at%以上含み、かつ下記式(1)を満たすスパッタリングターゲットを用いてドライエッチング処理に供する半導体デバイス電極用膜/配線用膜中のAl合金薄膜を形成する。0.3[Y]+3[IVa]≦2 ...(1){式中[Y]はYの含有量(at%)を示し、[IVa]はIVa族元素の含有量(at%)を示す}
請求項（抜粋）：
合金成分として、Y:0.05at%以上0.3at%未満、IVa族元素:合計で0.2at%以上を含み、かつ下記式(1)を満たすものであることを特徴とするAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット。0.3[Y]+3[IVa]≦2 ...(1){式中[Y]はYの含有量(at%)を示し、[IVa]はIVa族元素の含有量(at%)を示す}
IPC (2件)：
C23C 14/34
, H01L 21/3065
C23C 14/34 A
, H01L 21/302 104 C
4K029AA09
, 4K029BA01
, 4K029BA02
, 4K029BA03
, 4K029BA07
, 4K029BA11
, 4K029BA17
, 4K029BA23
, 4K029CA05
, 4K029DB04
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 5F004BA20
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA23
, 5F004DB08
, 5F004EB02
