特許
J-GLOBAL ID：200903069478496538
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150684
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 第1絶縁膜の特性が劣化されることを防止し、メモリセルの集積度を向上させ得る不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板300上に第1絶縁膜700、浮遊ゲ-ト340、第2絶縁膜350及び制御ゲ-ト360が順次に形成されており、半導体基板300の表面にドレ-ン領域310、低濃度ド-ピングされたソ-ス領域602及び高濃度ド-ピングされたソ-ス領域600が形成されている。この際、高濃度ド-ピングされたソ-ス領域600はドレ-ン領域310より浅く形成されており、浮遊ゲ-ト340と重ねられないことを特徴とする。これにより、メモリセルの集積度を向上させ、浮遊ゲ-ト340と低濃度ド-ピングされたソ-ス領域602との間に形成されている第1絶縁膜700内に電子が捕獲されることを減少させてメモリセルの特性を向上させ得る。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に順次に形成されている第1絶縁膜、浮遊ゲート、第2絶縁膜及び制御ゲートと、前記半導体基板の表面に前記浮遊ゲートの側壁と離隔されて形成されている第2導電型の高濃度ドーピングされたソース領域と、前記半導体基板の表面に前記高濃度ドーピングされたソース領域と連結されて前記浮遊ゲートと重ねられて形成されており、不純物濃度が前記高濃度ドーピングされたソース領域の不純物濃度より低い第2導電型の低濃度ドーピングされたソース領域と、前記半導体基板の表面に前記浮遊ゲートと重ねられ前記高濃度ドーピングされたソース領域より深く形成されており、不純物濃度が前記高濃度ドーピングされたソース領域と同一な第2導電型のドレーン領域とを備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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