特許

J-GLOBAL ID：200903069487465548

光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置

発明者： 池本 喜代美
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156510
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 単一の光を受光しかつ光出力として出力する受光素子の提供。【解決手段】 受光素子を有する光半導体素子であって、前記光半導体素子の受光領域内または受光領域の一部に掛かって光が透過できる光透過部が設けられている。前記光透過部は光半導体素子に設けられた孔や切り欠きによる空間で形成されている。光は受光領域で受光されてモニタされる。また、前記光透過部を透過した光は光出力になる。

請求項（抜粋）：

受光素子が設けられた光半導体素子であって、前記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過部が設けられていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 31/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/026

FI (6件)：

H01L 31/02 B ,  H01S 3/18 616 ,  H01L 27/14 J ,  H01L 31/02 C ,  H01L 31/02 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (38件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CA40 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA14 ,  4M118GA09 ,  4M118HA20 ,  4M118HA21 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049PA01 ,  5F049QA01 ,  5F049QA03 ,  5F049QA08 ,  5F049QA15 ,  5F049QA17 ,  5F049RA07 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE11 ,  5F049SS04 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073FA04 ,  5F073FA05 ,  5F073FA06 ,  5F073FA07 ,  5F088JA02 ,  5F088JA05 ,  5F088JA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-131776
  
• 特開昭58-131776
  
• 光送受信モジュ-ル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104405   出願人：住友電気工業株式会社
• 光送受信モジュ-ル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319705   出願人：住友電気工業株式会社