特許
J-GLOBAL ID：200903069493150710

半導体装置およびその製造方法

発明者：
矢島 貴史

矢島 貴史 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232615
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050692
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 シリカを伝わって水分が進入するのを防ぎ、耐湿性を向上させ、かつ、パタ-ンサイズを増大すること無く、耐湿性を向上した半導体装置を提供すること。【解決手段】ヒューズ1横には張出し部2が形成されている。この張出し部2により間隔の狭くなった部分3を、酸化膜等の第一の絶縁膜4で埋め込む。その後、平坦化の為にシリカ6を塗布して、エッチバックを行い余分なシリカを除去し、かつ配線間にシリカを残し平坦化を行い、第2の絶縁膜7を形成する。通常、B-B’線方向に沿ってシリカの層が途切れること無く続いてしまうが、この埋め込まれた第一の絶縁膜5により、シリカ6の層を途中で遮断することができる。
請求項（抜粋）：
ヒューズパターン横に、張出し部を設け、間隔の狭くなった部分を酸化膜等の絶縁膜で塞いだ、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 21/82 R ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/04 H
Fターム (16件)：
5F033MM21 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR09 ,  5F033SS21 ,  5F033VV11 ,  5F033XX01 ,  5F033XX18 ,  5F033XX36 ,  5F038AV15 ,  5F038BH01 ,  5F038BH20 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB33 ,  5F064BB35 ,  5F064FF02 ,  5F064FF26
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049529   出願人：富士通株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296551   出願人：日本電気株式会社

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