特許

J-GLOBAL ID：200903069505747823

無機固体電解質層の形成方法

発明者： 川崎 信夫 ,  小藤 武樹
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (2件)： 大谷 保 ,  東平 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286960
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103287
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】リチウムイオン伝導度の高いアモルファス状の無機固体電解質層を効率的に形成する方法を提供することである。【解決手段】基材上にリチウム元素、リン元素及び硫黄元素を含む無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、気相成長法又は化学気相蒸着法(CVD法)を用い、かつ基材を25°C未満に冷却することを特徴とする無機固体電解質層の形成方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材上にリチウム元素、リン元素及び硫黄元素を含む無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、気相成長法又は化学気相蒸着法(CVD法)を用い、かつ基材を25°C未満に冷却することを特徴とする無機固体電解質層の形成方法。

IPC (2件)：

H01B 13/00 ,  H01M 10/36

FI (2件)：

H01B13/00 Z ,  H01M10/36 A

Fターム (21件)：

4K029AA02 ,  4K029BA51 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ12 ,  5H029AK01 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ09 ,  5H029EJ03 ,  5H029HJ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-202024号公報
  
• 無機固体電解質の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259562   出願人：住友電気工業株式会社