特許

J-GLOBAL ID：200903069522409095

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 木村 大覚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144587
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295611
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】半導体発光素子において、素子駆動用の配線配置による光取り出しロス低減を可能とし、しいては素子面積の縮小によるパッケージの小型化を可能とする。【解決手段】サファイア基板4、バッファ層、N型ドーパントがドープされたAlGaNからなるN型窒化物半導体層3,ノンドープInGaNからなる活性層2およびP型ドーパントがドープされたAlGaNからなるP型窒化物半導体層1がこの順序で積層され、サファイア基板4に傾斜面を形成し、その傾斜面に形成された反射膜8bにより結晶成長基板の側面から光を取り出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子において、結晶成長基板の上に少なくとも1層の半導体結晶層が形成され、前記結晶成長基板の側面から光を取り出す構造を特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA11 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-112796   出願人：株式会社豊田中央研究所