特許
J-GLOBAL ID：200903094840280667
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112796
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302804
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】半導体バルク結晶からなる結晶成長基板を用いて比較的短い発光波長の発光ダイオードを製造する際に、その外部量子効率や光の取り出し効率を高く確保すること。【解決手段】無添加のGaNバルク結晶からなる厚さ約150μmの半導体結晶基板102の裏側は、ドライエッチングによって仕上げられた平坦な被研磨面102aと、ドライエッチングによって仕上げられたテーパ形状の被研削面102bから構成されている。GaNから成る膜厚約10nmのn型クラッド層104(低キャリア濃度層)の上には、膜厚約2nmのAl0.005 In0.045 Ga0.95Nから成る井戸層51と膜厚約18nmのAl0.12Ga0.88Nから成るバリア層52とが交互に合計5層積層された紫外線発光のMQW構造の活性層105が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶成長基板の結晶成長面の上に半導体層が積層された面発光型の発光ダイオードの製造方法であって、
前記結晶成長基板を裏面から研磨、ダイシング、またはブラスト処理することによって、光出力に寄与する出射面または反射面を形成する形状加工工程と、
前記形状加工工程によって形成された前記出射面または前記反射面を更にエッチングによって仕上処理する加工面仕上工程と
を有する
ことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA06
, 5F041CA13
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB14
出願人引用 (1件)
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-010135
出願人：松下電子工業株式会社
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
