特許
J-GLOBAL ID：200903069537722369

光透過型半導体装置

発明者：
森賀 南木

森賀 南木 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307131
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 透明モールド樹脂中に存在する異物による光透過性能の低下を軽減することが可能な光透過型半導体装置を得る。【解決手段】 半導体素子1の光感応素子部2上に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂と酸無水物を主成分とする透明モールド樹脂6に対して、屈折率がほぼ同一(25°C、589nmにおいて1. 48〜1. 64)である膜厚100μm以上の透明膜7を設けた。また、透明膜7は直径5μm以上の異物の含有量が10個/g以下、光を遮蔽しない直径5μm以下の透明異物の含有量が100個/g以下である。これにより、光感応素子部2の少なくとも100μm以内の領域に光を遮る異物が存在しないため、異物による光の遮蔽を軽減することができ、所望の受光特性を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
表面に光感応素子部を有する半導体素子を透明モールド樹脂で封止してなる光透過型半導体装置において、上記半導体素子表面の少なくとも上記光感応素子部上に、屈折率が上記透明モールド樹脂とほぼ同一であり、直径5μm以上の異物の含有量が10個/g以下である膜厚100μm以上の透明膜を設けたことを特徴とする光透過型半導体装置。
Fターム (8件)：
5F088AA02 ,  5F088BA03 ,  5F088BA10 ,  5F088GA03 ,  5F088HA12 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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