特許

J-GLOBAL ID：200903069554837005

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 受田 高明 ,  薮 俊樹 ,  山田 隆順 ,  山中 通成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336815
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181159
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 CMP法もしくはエッチバック法における平坦性のパターン依存性を低減し、表面に段差のない完全平坦化が実現されたトレンチパターンを形成できるようにする。【解決手段】 素子領域外32に、規則性を有する繰り返しの溝の配列パターンであるダミーパターン27を設け、このダミーパターン27によって凸部が一様に分布するようにし、CMP法あるいはエッチバック法のパターン依存性を低減している。

請求項（抜粋）：

トレンチパターンでそれぞれ分離された複数の素子領域に素子がそれぞれ形成される半導体装置において、前記素子領域以外の領域であって、かつ前記トレンチパターンを除いた領域に、溝または穴の配列パターンであるダミーパターンが形成され、該ダミーパターンによって区画形成された凸部は、規則性を有する繰り返しで存在するとともに、隣接する凸部間の距離は、10μm以下であって、かつ所要の素子領域の平均の面積と、前記凸部の繰り返しの基本単位の面積との比が、0.5以上2以下であり、前記トレンチパターンおよび前記ダミーパターンは、絶縁膜で埋没されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/08 331

FI (5件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 21/304 321 Z ,  H01L 27/08 331 D ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/90 V