特許
J-GLOBAL ID：200903069558830692
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151265
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340584
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置において、メモリセルのデータ保持部の安定度を損うことなく大きくし、またセンスを不要にする。【解決手段】 メモリセルはリード動作用のデジット線DRを1本有している。リード動作の初期に、パルス発生回路PGにより、MOSトランジスタM11が短時間オン状態になるようにワンショットパルスがMOSトランジスタM11に加えられ、その結果デジット線DRは電源電位Vccまで引き上げられる。デジット線DRの接地電位への引き下げは、MOSトランジスタM5、M6によって行なわれる。
請求項（抜粋）：
複数のワード線とデジット線のマトリックスで構成されるメモリセルアレイと、該デジット線を制御するMOSトランジスタを有する半導体記憶装置において、前記メモリセルは、リード動作用のデジット線を1本有し、該デジット線の引き上げ動作は、前記MOSトランジスタに、リード動作の初期に、ワンショットパルスを印加することで行い、引き下げ動作は、前記メモリセルで行うことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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