特許

J-GLOBAL ID：200903069590618360

電気光学装置および絶縁ゲイト型電界効果半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024564
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186346
出願日： 1991年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課 題】 ソース領域およびドレイン領域間の逆方向リークを少なく、耐圧の低さに起因するしきい値電圧以下の状態において生じるスローリークを解決する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置からなる電気光学装置。【解決手段】 基板上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであり、ソース領域とチャネル形成領域の境界付近、あるいはチャネル形成領域とドレイン領域の境界近傍に炭素、窒素、酸素の内、少なくとも一種類の元素が添加された領域イ’,ロ’が設けられている。

請求項（抜粋）：

複数の画素と、当該複数の画素の各々を駆動する複数の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置とからなる電気光学装置において、半導体層に形成されたソース領域とチャネル形成領域とドレイン領域と、前記ソース領域とチャネル形成領域との境界、および前記ドレイン領域とチャネル形成領域との境界の少なくとも一方の境界付近に、炭素、窒素、および酸素から選ばれた少なくとも一種類の元素が添加されている不純物領域と、を備えていることを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置からなる電気光学装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-019538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭64-057755