特許
J-GLOBAL ID：200903069604565249

同期整流回路

発明者：
田中 僖一

田中 僖一 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038444
公開番号（公開出願番号）：特開平10-225114
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 MOSFETを使った同期整流回路で、転流用MOSFETのゲート駆動に出力チョークコイルの補助巻線を使う方法があるが、MOSFETのターンオフ時間による動作遅れのためにロスが増加する。これを改善する方法を提供する。【構成】 電圧変換回路のトランスの2次側コイル2Bに接続した整流用MOSFET4と転流用MOSFET6を設け、その出力をチョークコイル8と出力コンデンサ9で平滑するコンバータの同期整流回路で、転流用MOSFET6をオンするための駆動回路11とMOSFET6をオフするための制御(放電)回路13を備える。駆動回路11は他端がMOSFET6のソースに接がれたチョークコイル8の補助巻線8Bとダイオード12から成り、制御回路13は少なくとも主スイッチ素子3に同期して動作する制御スイッチ14を有して、その他端は整流用MOSFET4のドレインに接続される。
請求項（抜粋）：
トランスの1次巻線に主スイッチ素子を接続し、前記トランスの2次巻線に並列にソース共通の整流用MOSFETと転流用MOSFETの直列回路を接続し、整流出力をチョークコイルと出力コンデンサで平滑するようにした同期整流回路において、前記チョークコイルに補助巻線を巻回し、該補助巻線の一部をダイオードに介して前記転流用MOSFETのゲートに接続すると共に、該転流用MOSFETのゲートと前記整流用MOSFETのドレイン間に前記主スイッチ素子と同期して動作する制御スイッチを設けたことを特徴とする同期整流回路。
IPC (2件)：
H02M 3/28 ,  H02M 7/21
FI (2件)：
H02M 3/28 F ,  H02M 7/21 A
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭55-066281
  • 同期整流回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075975   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
  • 特開昭55-066281
  • 同期整流回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075975   出願人：日本電気株式会社

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