特許

J-GLOBAL ID：200903069609148247

熱支援付き磁気メモリ記憶デバイス

発明者： マニシュ・シャーマ
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173355
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005718
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】メモリセルのビット間のピッチを低減すること。【解決手段】熱支援付きの、プローブを用いた磁気メモリ(50)記憶デバイス。特定の実施形態において、磁気トンネル接合メモリセル(100)、および導体(156)と発熱体(158)によって特徴付けられた先端部(154)を有する少なくとも1つの可動プローブ(150)が設けられる。可動プローブ(150)は任意のメモリセル(100)と電気的に及び熱的に接触する。メモリセル(100)は、保磁力が温度の上昇と共に減少する材料を含む。読出し導体(156)により提供される磁界(300)は、加熱されていないセル(100)の向きを変更することはないが、加熱されたセル(100)の向きを変更することができる。また、関連した使用方法も提供される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

熱支援付き磁気メモリ(50)記憶デバイスであって、 複数のメモリセル(100)であって、それぞれのメモリセル(100)が、 変更可能な磁化の向きによって特徴付けられ、保磁力が温度の上昇とともに減少する材料からなる、少なくとも1つの強磁性データ層(102)と、 前記データ層(102)と接触する中間層(104)と、 前記データ層(102)の反対側において、前記中間層(104)と接触する強磁性基準層(106)とを含む、複数のメモリセルと、 任意のメモリセル(100)に非常に接近して配置される遠位先端部(154)を有する少なくとも1つの可動プローブ(150)とを備え、その可動プローブ(150)が、 支持体(152)と、 前記支持体(152)に結合され、前記遠位先端部(154)を形成する導体(156)と、 前記プローブの導体(156)に近接して前記支持体(152)に結合される発熱体(158)とを含む、熱支援付き磁気メモリ(50)記憶デバイス。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 情報記録媒体、情報記録・再生方法および情報記録・再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320568   出願人：沖電気工業株式会社
• ストレージ・システム及び書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-055705   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特許第6314020号