特許
J-GLOBAL ID：200903030723755664
ストレージ・システム及び書き込み方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055705
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273601
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 機械的摩耗を受けず、数百Gb/インチ2の記憶密度を可能にするストレージ・システムを提供する。【解決手段】磁化可能な記憶媒体(10)を使用し、記憶媒体へ外部的に結合された人工的外部磁場Hへ前記記憶媒体をさらし、ビット書き込み時には、ビット・サイズの大きさで非常に局所的に熱を同時に加えて、熱が加えられるロケーション(32)で(温度に依存した)保磁磁場よりも外部磁場を局所的に大きくすることが提案される。更に、本発明のストレージ・システムでは、キャンチレバー・チップ(24)の2次元アレイが有利に使用される。チップの各々は、電流によって活動化されたとき熱源として働く。この電流は、前記チップ(24)内の抵抗通路を流れ、ビットの書き込みが意図されている小さな記憶媒体ロケーション(32)で必要な温度を発生し、その温度を磁気材料のキュリー温度又は補償温度へ近づける。
請求項（抜粋）：
抵抗通路を有し、該抵抗通路を通して電流を流すとき局所的に熱を加える書き込みヘッド(22、24)と、磁化可能な記憶媒体(10)と、前記電流が前記抵抗通路を流れ局所媒体温度がキュリー温度又は補償温度に近づくときに前記記憶媒体が局所的に加熱されるような磁場の源(30)とを備え、前記磁場の源は、ビットが前記記憶媒体へ書き込まれるように、到達した温度で保磁磁場よりも高い磁場を発生することができるストレージ・システム。
IPC (2件)：
G11B 5/02
, G11B 11/10 502
G11B 5/02 S
, G11B 5/02 U
, G11B 11/10 502 Z
