特許

J-GLOBAL ID：200903069618335920

半導体の製造に適した構造化ウェハを修正するための加工液およびその方法

発明者： エル・チャールズ・ハーディ ,  ジェニファー・エル・トライス
出願人/特許権者： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603322
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538284
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】半導体製造用のウェハの露出された表面を修正するのに有用な加工液系列が、かかる加工液系列を利用する半導体製造用ウェハの露出された表面を修正する方法、そして、前述のプロセスにより製造された半導体ウェハと共に提供される。本発明の加工液は、酸化剤と、イオン緩衝剤と、パッシベーション剤と、イミノ二酢酸とその塩から選ばれるキレート化剤と水とを含む初期成分の溶液である。本発明の方法は、a)パターンを形成するために表面がエッチングされた第1の材料と、第1の材料の表面を覆うように配置された第2の材料とを含むウェハを提供する工程と、b)ウェハの第2の材料を、加工液を存在させて研摩剤と接触させる工程と、c)ウェハの露出表面が平面になり、露出した第1の材料の少なくとも一領域と露出した第2の材料の一領域とを有するようになるまで、第2の材料を研摩剤と接触させながらウェハを相対的に動かす工程とを含む。

請求項（抜粋）：

酸化剤と、 イオン緩衝剤と、 パッシベーション剤と、イミノ二酢酸とその塩から選ばれるキレート化剤と、水と、を含む初期成分の溶液である、半導体デバイスの製造に適したウェハ表面を修正するのに有用な加工液。

IPC (7件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

FI (8件)：

C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 G ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/308 G

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043BB27 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-272460
  
• 半導体ウェーハ処理液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-103191   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-272460