特許

J-GLOBAL ID：200903069619915165

圧電磁器

発明者： 古川 正仁 ,  堀野 賢治 ,  佐藤 直義 ,  黒田 朋史
出願人/特許権者： TDK株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-314199
公開番号（公開出願番号）：特開2005-082422
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物に加えて、Biと、Mgと、Ta,NbおよびSbからなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。これらは固溶していてもよく、完全に固溶していなくてもよい。第1の化合物の組成比x、第2の化合物の組成比y、および第3の化合物の組成比zは、モル比で、x+y+z=1,0.35≦x≦0.99,0<y≦0.55,0<z≦0.1をそれぞれ満たす範囲内であることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物と、ビスマス(Bi)と、マグネシウム(Mg)と、タンタル(Ta),ニオブ(Nb)およびアンチモン(Sb)からなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、酸素(O)とを含む第3の化合物とを含有することを特徴とする圧電磁器。

IPC (3件)：

C04B35/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (4件)：

C04B35/46 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/22 A

Fターム (13件)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公平4-60073号公報
  
• 圧電セラミックス材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351543   出願人：日産自動車株式会社
• 圧電性磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361880   出願人：株式会社トーキン

審査官引用 (1件)

• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-399587   出願人：エヌイーシートーキン株式会社