特許

J-GLOBAL ID：200903069638249320

GaN蛍光体の製造方法及びGaN蛍光体

発明者： 須田 順子 ,  佐藤 義孝 ,  片岡 文昭 ,  土岐 均 ,  野村 裕司
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-248275
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【目的】結晶性が良く着色が少なく添加剤が制御性よく均一に添加されて発光強度の大きいGaN蛍光体を製造する。【構成】硝酸Ga水和物(Ga(NO3 )・8H2 O)に1mol%の硝酸Zn溶液を混合し、常温でアンモニアを滴下してZnを共沈させたGa水酸化物を得た。これをアンモニア雰囲気中にて1100°Cで3時間反応させてGaN:Zn蛍光体を得た。黒灰色や黄色の着色はなくほぼ白色であった。青色波長450nmでの反射率は75%で、硫化物(Ga2 S3 )を原料とした比較例の蛍光体はこれよりも低い。従来のGaN蛍光体は針状結晶だが、本例の蛍光体は粒径0.3〜2.0μmの球状の結晶である。365nmの水銀ランプで発光させたところ440nmにピークを持つブロードな発光スペクトルが得られた。

請求項（抜粋）：

Ga水酸化物を窒化させることを特徴とするGaN蛍光体の製造方法。

IPC (2件)：

C09K 11/62 CQF ,  C09K 11/08

FI (2件)：

C09K 11/62 CQF ,  C09K 11/08 A

Fターム (7件)：

4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 蛍光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100215   出願人：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051494   出願人：双葉電子工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 蛍光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100215   出願人：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051494   出願人：双葉電子工業株式会社