特許
J-GLOBAL ID：200903069661560652
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360422
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175500
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 非晶質炭素膜及びシリコンフォトレジスト膜を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上の材料層上に非晶質炭素膜、反射防止膜及びシリコンフォトレジスト膜を順次形成する段階と、前記シリコンフォトレジスト膜をパターニングしてシリコンフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、前記シリコンフォトレジスト膜パターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜及び非晶質炭素膜を選択的にエッチングすることによって、非晶質炭素膜パターンを形成する段階と、前記非晶質炭素膜パターンをエッチングマスクとして前記基板上の材料層を選択的にエッチングすることによって、前記基板上の材料層にパターンを形成する段階と、を含むパターン形成方法である。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
基板上に材料層を形成する段階と、
前記材料層上に非晶質炭素膜を形成する段階と、
前記非晶質炭素膜上に反射防止膜を形成する段階と、
前記反射防止膜上にシリコンフォトレジスト膜を形成する段階と、
前記シリコンフォトレジスト膜をパターニングしてシリコンフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、
前記シリコンフォトレジスト膜パターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜及び非晶質炭素膜を選択的にエッチングすることによって非晶質炭素膜パターンを形成する段階と、
前記非晶質炭素膜パターンをエッチングマスクとして前記基板上の材料層を選択的にエッチングすることによって前記基板上の材料層にパターンを形成する段階と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 573
, H01L21/30 570
, H01L21/302 105A
5F004AA09
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EA01
, 5F004EB01
, 5F004EB02
, 5F004EB04
, 5F046LA18
, 5F046NA07
, 5F046NA18
