特許

J-GLOBAL ID：200903069686489596

面発光素子および自己走査型発光装置

発明者： 楠田 幸久 ,  大塚 俊介 ,  大野 誠治
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085236
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283794
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 外部発光効率の良い面発光素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板31上に設けられたP形の半導体層32と、半導体層32上にメサ構造により設けられた、N形の半導体層33,P形の半導体層34と、N形の半導体層35と、半導体層32上に設けられたアノード電極38と、半導体層34上に設けられたゲート電極37と、半導体層35上に設けられたカソード電極36とを備え、N形半導体層35のシート抵抗値を、P形半導体層32のシート抵抗値以下とした。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に設けられた第1導電形の第1の半導体層と、第1の半導体層上にメサ構造により設けられた第2導電形の第2の半導体層と、第1の半導体層上に設けられた第1の電極と、第2の半導体層上に設けられた第2の電極とを備える面発光ダイオードにおいて、第2の半導体層のシート抵抗値を、第1の半導体層のシート抵抗値以下としたことを特徴とする面発光ダイオード。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  B41J 3/21 L ,  H01L 29/74 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044451   出願人：株式会社東芝
• 面発光型半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253979   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-263668
  
• 特開平4-296579