特許

J-GLOBAL ID：200903069707696937

プラズマエッチング加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法

発明者： 田中 真一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283059
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103428
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】プラズマエッチング装置を用いて基板をドライエッチングすることにより、基板を常に高精度に加工することができるプラズマエッチング加工方法及びそれを用いた液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に所定寸法の開口を有する保護膜201を形成する工程と、保護膜201をマスクとしてプラズマエッチング装置により基板をドライエッチングしてエッチング工程とを有し、エッチング工程を実施中にプラズマエッチング装置の電極のVpp値を測定し、各エッチング工程で設定する設定Vpp値を前回のエッチング工程時に測定された測定Vpp値に基づいて調整する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に所定寸法の開口を有する保護膜を形成する工程と、該保護膜をマスクとしてプラズマエッチング装置により基板をドライエッチングするエッチング工程とを有し、 前記エッチング工程を実施中に前記プラズマエッチング装置の電極のVpp値を測定し、各エッチング工程で設定する設定Vpp値を前回のエッチング工程時に測定された測定Vpp値に基づいて調整することを特徴とするプラズマエッチング加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  B41J 2/135 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/302 103 ,  B41J3/04 103N ,  B41J3/04 103A ,  H05H1/46 L

Fターム (24件)：

2C057AF93 ,  2C057AG07 ,  2C057AG12 ,  2C057AG54 ,  2C057AP12 ,  2C057AP13 ,  2C057AP31 ,  2C057AP32 ,  2C057AP57 ,  2C057AP60 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA15 ,  5F004BA20 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB05 ,  5F004DA02 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• インクジェットヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-030112   出願人：セイコーエプソン株式会社