特許
J-GLOBAL ID：200903069716315113

強磁性体メモリおよびその動作方法

発明者：
平井 匡彦

平井 匡彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334491
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141481
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 マトリックス型MRAMにおいてセル面積が小さく、かつ、記憶した情報を安定的に検出できるメモリ構造およびその駆動方法を提供する。【解決手段】 ビット線BL1〜3と、強磁性体の磁化の方向を選択することで電気抵抗値を選択可能な可変抵抗器r11〜13,21〜23,31〜33と、可変抵抗器に直列接続されたPN接合ダイオードD11〜13,21〜23,31〜33と、所定のビット線に接続され読み出し動作時に強磁性体の磁化方向が反転する前後のビット線の信号を検知するセンスアンプSA1〜3とを備えた強磁性体メモリの読み出し動作時、可変抵抗器rの電気抵抗値を取得してソフト層の強磁性体の磁化方向を反転させ、その後再び電気抵抗値を取得し、磁化方向が反転する前と後の電気抵抗値を信号検知回路SAで比較した結果からハード層に記憶された情報を判別する。
請求項（抜粋）：
強磁性体の磁化の方向によって情報を記憶する不揮発性の強磁性体メモリであって、互いに平行に配置された少なくとも1本のビット線と、前記ビット線と交差するように配置され、所望により接地可能な、少なくとも1本のワード線と、半導体基板上に形成され、一方の端子が所定の前記ワード線に接続されたスイッチング素子と、前記強磁性体の磁化の方向を選択することで電気抵抗値を選択可能であり、前記スイッチング素子の他方の端子に一方の端子が接続され、所定の前記ビット線に他方の端子が接続された可変抵抗器とを有し、前記スイッチング素子と可変抵抗器は前記ビット線とワード線の各交点に設けられ、前記スイッチング素子の直上に前記ビット線、ワード線、可変抵抗器が積層されていることを特徴とする強磁性体メモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA12 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA16 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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