半導体結晶の成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-056596
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226246
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】リソグラフィー技術を用いることなく、品質の優れた大きな単結晶領域を大きなスループットで選択的に形成することができる半導体結晶の成長方法を提供する。【構成】本発明の半導体結晶の成長方法は、アモルファス状シリコン薄膜14の所定の領域に結晶化のためのシリコン核16を形成し、次いで結晶18を低い温度にて固相成長させて大粒径のポリシリコン結晶粒を形成する半導体結晶の成長方法に適用される。そして、細く収束することができ且つ直接描画可能なエネルギービームをアモルファス状シリコン薄膜14の所定の位置に照射して、アモルファス状シリコン薄膜に微細なシリコン核16を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

アモルファス状シリコン薄膜の所定の領域に結晶化のためのシリコン核を形成し、次いで結晶を低い温度にて固相成長させて大粒径のポリシリコン結晶粒を形成する半導体結晶の成長方法であって、細く収束することができ且つ直接描画可能なエネルギービームをアモルファス状シリコン薄膜の所定の位置に照射して、アモルファス状シリコン薄膜に微細なシリコン核を形成することを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-140916
特開平3-060018
特開昭58-198214

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