特許
J-GLOBAL ID：200903069741745068
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077186
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326938
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 光が電極部分へ漏れることを防ぎ、導波路内で光分布を容易に制御する。【解決手段】 基板上に第一導電型第一クラッド層、活性層、第二導電型第一クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第二導電型第二クラッド層及び第二導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第二導電型第二クラッド層の一部が該保護膜上に形成されており、該第2導電型第2クラッド層の、該保護膜上に形成されている部分の幅が0.01〜2μmであることを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
基板上に第一導電型第一クラッド層、活性層、第二導電型第一クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第二導電型第二クラッド層及び第二導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第二導電型第二クラッド層の一部が該保護膜上に形成されており、該第二導電型第二クラッド層の、該保護膜上に形成されている部分の幅が0.01〜2μmであることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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