光半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199791
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの活性層幅の制御性を向上し、漏れ電流を無くして、閾値の低減、微分量子効率の向上、温度特性の向上、最大光出力の向上を行う。【解決手段】n型InP基板1上に、n-クラッド層3、GRIN-SCH-歪MQW層4、p-クラッド層11、p-InPクラッド層12が形成され、その上に1.5μm幅で開口した窒化シリコン膜13上に、選択成長により覆い被さるように形成されたp-InPクラッド選択成長層14が4μmの高さで形成され、窒化シリコン膜13が電流ブロック層、光閉じ込め層として機能する。これにより、放射角が狭くて丸い屈折率導波となり、漏れ電流が無くなる。また、p-InPクラッド選択成長層14上にコンタクト層15、16、表面電極18が形成され、コンタクト幅が10μmとなっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層、ストライプ状に開口した誘電体膜が順次設けられ、該誘電体膜の開口部から半導体結晶をエピタキシャル成長させて開口部外方の前記誘電体膜の上にまで載りかかるような形状のクラッド層とし、該誘電体膜を電流ブロック層や光閉じ込め層として機能させるとともに、前記クラッド層上面のコンタクト層を介して上部電極が設けられたことを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-337689
半導体レーザ装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073440 出願人：株式会社リコー
特開昭55-074195

全件表示

前のページに戻る