特許
J-GLOBAL ID:200903069746716465
シリアルアクセスメモリ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大西 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-299673
公開番号(公開出願番号):特開2002-109878
出願日: 2000年09月29日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】 メモリ容量が増加してもチップサイズの増大を押さえることが出来る、消費電流の小さいシリアルアクセスメモリを提供する。【解決手段】 ビット線BLiaに接続されたメモリセルを有する第1および第2のメモリアレイa、bと、このメモリアレイa、bに共通に設けられ、ビット線BLiaと第1の転送手段Ha、Hbを介して接続された信号線CLiと、この信号線CLiに第2の転送手段Fを介して接続されたライトレジスタWRmと、このライトレジスタWRmに第3の転送手段Dを介して接続されたライト用バスWDと、このライト用バスWDに接続された入力手段Lと、信号線CLiに第4の転送手段Iを介して接続されたリードレジスタRRmと、このリードレジスタRRmに第5の転送手段Kを介して接続されたリード用バスRDと、このリード用バスRDに接続された入力手段Mとを有する。
請求項(抜粋):
複数のビット線のおのおのに接続された複数のメモリセルを有する第1および第2のメモリアレイと、前記第1および第2のメモリアレイに共通に設けられ、前記ビット線と第1の転送手段を介して接続された信号線と、この信号線に第2の転送手段を介して接続されたライトレジスタと、このライトレジスタに第3の転送手段を介して接続されたライト用バスと、前記信号線に第4の転送手段を介して接続されたリードレジスタと、このリードレジスタに第5の転送手段を介して接続されたリード用バスとを有するシリアルアクセスメモリ。
FI (2件):
G11C 11/34 362 H
, G11C 11/34 371 H
Fターム (5件):
5B024AA01
, 5B024AA07
, 5B024BA29
, 5B024CA16
, 5B024CA18
引用特許:
審査官引用 (9件)
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マルチシリアルアクセスメモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-015678
出願人:沖電気工業株式会社
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特開平2-148496
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特開平2-076195
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半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-080191
出願人:日本電気株式会社
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特開平2-137188
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-138932
出願人:三菱電機株式会社
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特開平2-148496
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特開平2-076195
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特開平2-137188
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