特許

J-GLOBAL ID：200903069794768841

化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤

発明者： 大森 克実 ,  羽田 英夫 ,  金子 文武 ,  佐藤 充 ,  佐藤 和史 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090901
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 高解像性及び高感度を有し、かつ優れた形状のレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物、及びそれに用いる酸発生剤を提供するものである。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(R1は不活性有機基、R2は芳香族性多環式炭化水素基、非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体基)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物、並びに、前記一般式で表わされ、かつR1が芳香族性基、R2がナフチル基又はカンファー残基であるオキシムスルホネート化合物から成る化学増幅型レジスト用酸発生剤である。

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(式中のR1は不活性有機基、R2は芳香族性多環式炭化水素基、飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体基である)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144327   出願人：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド

審査官引用 (1件)

• 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144327   出願人：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド