特許

J-GLOBAL ID：200903069799675280

プラズマCVD装置及び薄膜形成方法

発明者： 遠藤 徹哉 ,  渡辺 直樹
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-029235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220681
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、簡単な構成で小型かつ安価に作製することができ、基板の有効な表面にわたって膜厚が均一な薄膜を高速で堆積することができるプラズマCVD装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/509 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 16/509 ,  G11B 5/84 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C

Fターム (37件)：

4K030BA28 ,  4K030BA30 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030GA01 ,  4K030KA20 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030LA18 ,  4K030LA20 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104GG09 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FB26 ,  5D112FB29 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB07 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AF10 ,  5F045AF11 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-124277
  
• 情報記録ディスク用成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050191   出願人：アネルバ株式会社
• 特開平3-247770