特許

J-GLOBAL ID：200903069801898446

窒化ケイ素基板および回路基板

発明者： 濱吉 繁幸 ,  今村 寿之 ,  祖父江 昌久
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-328477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201076
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】【課題】 接合強度および耐冷冷熱サイクル特性に優れた回路基板の製造に好適な表面性状を有する窒化ケイ素基板およびこれを用いた回路基板を提供する。【解決手段】 実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体からなり、基板表面における中心線平均粗さ(Ra)が0.2〜20μmの表面性状を有し、さらに前記窒化ケイ素粒子及び前記粒界相の合計面積率を100%としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100%である窒化ケイ素基板である。また、この窒化ケイ素基板では、基板表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離(L)が1〜40μmとなしている。

請求項（抜粋）：

中心線平均粗さ(Ra)が0.2〜20μmの表面性状を有することを特徴とする窒化ケイ素基板。

IPC (3件)：

C04B 35/584 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/03 610

FI (6件)：

C04B 37/02 C ,  C04B 37/02 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/58 102 X ,  C04B 35/58 102 Y ,  C04B 35/58 102 C

Fターム (21件)：

4G001BA06 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BB06 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BC13 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC73 ,  4G001BD21 ,  4G001BE32 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BC02 ,  4G026BD11 ,  4G026BD12 ,  4G026BF11 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-237066
  
• 高熱伝導性窒化けい素回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-034933   出願人：株式会社東芝
• セラミック回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050173   出願人：京セラ株式会社