特許
J-GLOBAL ID:200903069868730612

電子部品およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-352615
公開番号(公開出願番号):特開平10-340977
出願日: 1997年12月22日
公開日(公表日): 1998年12月22日
要約:
【要約】【課題】 基板上のチップのパッドと基板上の電極をワイヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド体を形成して成る電子部品は、(1)レジスト膜とモールド体の接着力を大きくすること、(2)金属膜とカルの接着力を小さくすること、の2つの要件が要求される。そこで、上記2つの要件を満足する電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1の表面をプラズマ処理して第1電極4や湯道のための金属膜5に生じた金属酸化物を除去し、レジスト膜6を活性化させる。基板1上のチップ12と第1電極4をワイヤ15で接続した後、チップ12とワイヤ15を封止するモールド体9aを樹脂で形成する。金属膜5上のカル9bは金属膜5から容易に剥離され、モールド体9aはレジスト膜6上に強固に付着する。
請求項(抜粋):
基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化したことを特徴とする電子部品。
IPC (4件):
H01L 23/28 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H01L 23/28 Z ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 L
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-089244   出願人:株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-089244   出願人:株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社

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