特許
J-GLOBAL ID：200903069876135839

カーボンナノチューブ形成用基板の製造方法およびこの基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法

発明者：
多留谷 政良

多留谷 政良 について

, 
森 剛

森 剛 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 宮田 金雄 ,  高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082187
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284919
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】基板上へ低温かつ低コストにてカーボンナノチューブを形成することを可能とする、カーボンナノチューブ形成用基板の製造方法およびこの基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を実現する。【解決手段】基板1上に、基板1の融点(ガラス基板の場合にはガラスの軟化点)よりも低い温度にて熱的な原子の移動を生じる第一の金属5と、触媒金属(第二の金属)3とを積層し、第一の金属5の原子を加熱によって熱的に原子移動させること、あるいは溶融により流動させることで、触媒金属3自体、あるいは、CNT成長の核となる触媒金属3の部分を、基板1上に微細に分散もしくは露出させることにより、CNT成長を促進する触媒金属3の微細な核を備えたCNT形成用基板を作成し、この基板上に熱CVD法によりCNTを成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、この基板の融点よりも低い温度にて熱的な原子の移動を生じる第一の金属と、この第一の金属の上層もしくは下層に隣接配置された、カーボンナノチューブの形成に対し触媒作用を有する第二の金属とを形成した後、 前記基板を、前記第一の金属が熱的な原子の移動を生じ、かつ、前記基板の融点を越えない温度に加熱してなるカーボンナノチューブ形成用基板の製造方法。
IPC (3件)：
C01B31/02 ,  B32B15/04 ,  C03C17/40
FI (3件)：
C01B31/02 101F ,  B32B15/04 Z ,  C03C17/40
Fターム (52件)：
4F100AA20 ,  4F100AA37C ,  4F100AB01B ,  4F100AB01D ,  4F100AB01E ,  4F100AB02 ,  4F100AB02D ,  4F100AB11 ,  4F100AB15D ,  4F100AB16 ,  4F100AB16D ,  4F100AB31D ,  4F100AG00A ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA25 ,  4F100EH66 ,  4F100EH662 ,  4F100JA04A ,  4F100JA04B ,  4F100JA04E ,  4F100JA05A ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AC30 ,  4G059DA05 ,  4G059DA06 ,  4G059DA09 ,  4G059DB02 ,  4G059DB04 ,  4G059DB08 ,  4G059EA01 ,  4G059EA05 ,  4G059EB01 ,  4G059EB05 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA05 ,  4G059GA13 ,  4G059GA14 ,  4G146AA11 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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