特許

J-GLOBAL ID：200903069878998117

マイクロ電子銃およびその製造方法

発明者： 遠藤 康浩 ,  後藤 俊治 ,  本荘 一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249369
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 エミッタから冷電子を放出させるゲート電極上に、放出された冷電子を加速する加速電極を備えたマイクロ電子銃において、ゲート電極と加速電極の間に厚い絶縁層を形成され、高電界下におけるリーク電流を減少させたマイクロ電子銃を目的とする。【構成】 ゲート電極21b上に、電子ビームの通路となる貫通孔を形成された厚い絶縁層を陽極接合法により接合し、前記厚い絶縁層上に、電子ビームの通路となる貫通孔を形成された加速電極層23を、陽極接合法により接合する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたエミッタと、前記基板上に前記エミッタを囲むように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に前記エミッタを囲むように形成され前記エミッタに電界を印加するゲート電極とを備え、前記ゲート電極に印加された制御電圧に応じて前記エミッタから電子を電子ビームとして放出させるマイクロ電子銃の製造方法において;前記ゲート電極上に、電子ビームの通路となる貫通孔を形成された絶縁板を、前記貫通孔が前記マイクロ電子銃のエミッタに対応するように配置するアラインメント工程と;前記絶縁板と前記ゲート電極とを陽極接合法により接合する陽極接合工程と;前記絶縁板上の、前記ゲート電極に対面する面とは反対側の面上に、加速電極層を、前記電子ビームの通路を除いて形成する工程とを含むことを特徴とする、マイクロ電子銃の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-022329
  
• 特開昭63-104448
  
• 冷陰極素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-009631   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-022329
  
• 特開昭63-104448