特許
J-GLOBAL ID:200903069888009553

誘電体分離型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-043174
公開番号(公開出願番号):特開平9-237799
出願日: 1996年02月29日
公開日(公表日): 1997年09月09日
要約:
【要約】【課題】 この発明は、ボンディングワイヤーのアンダーループによる特性変動が少なく、さらに、低コストかつ高信頼性である誘電体分離型半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、電位の異なる2本以上のボンディングワイヤーが接続された誘電体分離構造を有する半導体チップから構成される誘電体分離型半導体装置において、前記半導体チップの周辺部を高抵抗化することにより、前記2本以上のボンディングワイヤーが前記半導体チップの周辺部のエッジに接触し短絡した場合であっても、前記2本以上のボンディングワイヤーの間には寄生抵抗は発生せず、これにより、前記半導体チップの特性変動を抑えることができる。
請求項(抜粋):
電位の異なる2本以上のボンディングワイヤーが接続された誘電体分離構造を有する半導体チップから構成される誘電体分離型半導体装置において、前記半導体チップの周辺部が高抵抗化されていることを特徴とする誘電体分離型半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 17/78
FI (3件):
H01L 21/60 301 A ,  H03K 17/78 F ,  H01L 27/04 E
引用特許:
審査官引用 (2件)

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