半導体レーザ装置の製造方法,及び半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023037
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】結晶転移を生じさせることなく窓構造を形成できるとともに、窓構造を再現性良く形成することができる半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型下クラッド層2,量子井戸構造活性層3,及びp型第1上クラッド層4aを順次エピタキシャル成長させた後、p型第1上クラッド層4a上に、レーザ共振器長方向となる方向に伸びるレーザ共振器端面となる領域近傍に達しない長さの所定幅のストライプ状開口部16aを有するSiO2 膜16を形成してアニールを行い、p型第1上クラッド層4aからGaを吸い上げてそこに空孔を生成するとともに、該空孔を量子井戸構造活性層3に達するまで拡散させて、レーザ共振器端面となる領域近傍の上記量子井戸構造活性層3をディスオーダする構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板の一主面上に、第1導電型Alx Ga1-x As(0<x <1)下クラッド層,Alz Ga1-z As(0<z <x)バリア層とAly Ga1-y As(0<y <z)ウエル層とからなる量子井戸構造活性層,及び第2導電型Alr Ga1-r As(z<r <1)第1上クラッド層を順次エピタキシャル成長させる工程と、上記第2導電型第1上クラッド層上のレーザ共振器端面となる領域近傍上にSiO2 膜を形成し、該SiO2 膜,及び上記エピタキシャル成長により形成された各半導体層をアニールして、上記第2導電型第1上クラッド層からGaを吸い上げてそこに空孔を生成するとともに、該空孔を上記量子井戸構造活性層に達するまで拡散させて、レーザ共振器端面となる領域近傍の上記量子井戸構造活性層をディスオーダする工程と、上記SiO2 膜を除去した後、上記第2導電型第1上クラッド層上に、第2導電型Alr Ga1-r As(z<r <1)第2上クラッド層,及び第2導電型GaAsコンタクト層を順次エピタキシャル再成長させる工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

ベクトルデータ区別表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-153591 出願人：日本電気ソフトウエア株式会社
特開平2-054593
特開平4-103187

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