特許
J-GLOBAL ID：200903069908675083

多結晶シリコン薄膜の製造方法

発明者：
工藤 利雄

工藤 利雄 について

, 
宮川 達也

宮川 達也 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248728
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078330
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 エキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化してなる多結晶シリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化し、また多結晶シリコン薄膜の表面の凸凹を小さくする。【構成】 まず、図3(A)において斜線(ハッチング)で示すように、390〜520mJ/cm2程度の高エネルギ密度のエキシマレーザビームでスキャン照射することにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化する。次に、図3(B)において斜線(ハッチング)で示すように、点線で示す図3(A)のレーザビーム照射領域とは異なるレーザビーム照射領域を、180〜350mJ/cm2程度の低エネルギ密度のエキシマレーザビームでスキャン照射する。これにより、多結晶シリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することができ、また多結晶シリコン薄膜の表面の凸凹を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
レーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜とする際に、レーザビーム照射領域を異ならせて複数回スキャン照射することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (19件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023341   出願人：富士ゼロックス株式会社
  • 特開昭57-162433
  • 特開昭57-162433
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