高周波回路基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357763
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】コプレーナ線路が形成された高周波回路基板において、グランド間距離が小さいコプレーナ線路に要求される最小線幅/間隔の寸法を緩和し、低コストで高歩留りの高周波回路を提供する。【解決手段】本発明の高周波回路基板1は、第1の誘電体層5と、導体層6と、第2の誘電体層7がこの順に積層されて形成されている。前記導体層6にコプレーナ線路2が形成され、第2の誘電体層7のうち、半導体素子8が実装される領域が部分的に除去され、開口部3が形成されている。開口部3ではコプレーナ線路2が部分的に露出しており、バンプ4が形成されている。半導体素子8は、バンプ4を介して導体層6に形成されたコプレーナ線路に接続される。第2の誘電体層の厚さHは、半導体素子8の厚さTより小さい。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の誘電体層と、導体層と、第2の誘電体層とが下からこの順に積層され、前記導体層により信号線路とグランドを有するコプレーナ線路が形成されるとともに、前記第2の誘電体層の一部が除去されて前記コプレーナ線路の一部を露出させる開口部が形成され、該開口部上に半導体素子が実装され前記コプレーナ線路と電気的に接続されたことを特徴とする高周波回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 301 , H01P 3/02 , H01P 5/08

FI (3件)：

H01L 23/12 301 L , H01P 3/02 , H01P 5/08 L

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293239 出願人：株式会社日立製作所
多層高周波回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184502 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293239 出願人：株式会社日立製作所

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